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V8 Etch是天芯微獨(dú)立研發(fā)的12英寸深硅刻蝕設(shè)備，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，可實(shí)現(xiàn)高深寬比的硅通孔和溝槽刻蝕，最多可同時(shí)掛載6個(gè)獨(dú)立的反應(yīng)腔，產(chǎn)能更大，CoO更小。

V8 Etch深硅刻蝕設(shè)備廣泛應(yīng)用2.5D&3D封裝、TSV刻蝕、CMOS圖像傳感器（CIS）、深溝槽隔離（DTI）、深溝槽電容（DTC）、功率器件硅溝槽刻蝕、MEMS溝槽刻蝕等領(lǐng)域。該設(shè)備搭配先進(jìn)的工藝實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，同時(shí)配合EtherCAT通信方式，響應(yīng)更快，沉積和刻蝕的切換周期更短。

V8 Etch應(yīng)用了多種先進(jìn)設(shè)計(jì)，如分區(qū)進(jìn)氣系統(tǒng)、對(duì)稱腔體結(jié)構(gòu)、高功率等離子源、快速氣體切換系統(tǒng)、和準(zhǔn)確離子能量控制等，為工藝提供了更多的可能性和可調(diào)性。

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 兼容Bosch和Non-Bosch工藝

• 晶圓邊緣保護(hù)環(huán)

• 多參數(shù)Ramp功能

• 對(duì)稱的腔體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)